你不知道的MOSFET
1场效应管分类
1.场效应管分为结型场效应管（JFET）和金属-氧化物-半导体场效应管（MOSFET）；
2.结型场效应管（JFET）分为N沟道和P沟道两种，实际应用中比较少；
3.MOSFET有增强型和耗尽型两大类，增强型和耗尽型每一类都可分为NMOS和PMOS；一般主板上使用最多的是增强型MOS管，NMOS最多，一般多用在信号控制上，其次是PMOS，多用在电源开关等方面，耗尽型几乎不用。
2场效应管结构
MOS管有三个极，栅极Gate，漏极Drain，源极Source，通常情况下，MOS管的衬底是和S极在管子内部连接在一起的，D极和S极之间一般会有一个寄生二极管；不论是N沟道还是P沟道，寄生二极管方向总是和箭头的方向一致；N/P沟道场效应管示意图如下：
某些应用场合，也会选择走体二极管，以增大DS之间的压降（体二极管的压降是比MOS的导通压降大很多的），同时也要关注体二极管的过电流能力。
当满足MOS管的导通条件时，MOS管的D极和S极会导通，这个时候体二极管是截止状态，因为MOS管的导通内阻极小，一般mΩ级别，流过1A级别的电流，也才mV级别，所以D极和S极之间的导通压降很小，不足以使寄生二极管导通，这点需要特别注意。
场效应管属于压控型器件，对于增强型的MOS管，当VGS大于一定值时管子就会导通，这里所说的“一定值”是指开启电压VGS(th)。
4与三极管的区别
- 开关速度的不同。三极管工作时，两个PN结都会感应出电荷，当开关管处于导通状态时，三极管处于饱和状态，假设这时三极管截止，PN结感应的电荷要恢复到平衡状态，这个过程需要时间。而MOS由于工作方式不同，不需要恢复时间，因此可以用作高速开关管。
- 控制方式不同。MOS管是电压控制元件，而三级管是电流控制元件。在只允许从信号源取较少电流的情况下，应选用MOS管；而在信号电压较低，又允许从信号源取较多电流的条件下，应选用三极管。
- 导电载流子种类数量不同。电力电子技术中提及的单极器件是指只靠一种载流子导电的器件，双极器件是指靠两种载流子导电的器件。MOS管只有多数载流子参与导电，所以也称为单极型器件；而三极管多数载流子和少数载流子均参与导电，所以称为双极型器件。
- 集成能力不同。MOS管能在很小电流和很低电压的条件下工作，而且它的制造工艺可以很方便地把很多MOS管集成在一块硅片上，因此MOS管在大范围集成电路中得到了普遍的应用。
- 输入阻抗和噪声能力不同。MOS管具有较高输入阻抗和低噪声等优点，被普遍应用于各种电子设备中。6.MOS管成本要高于三极管，根据两种元件的特性，MOS管常用于高频高速电路、大电流场所，以及对基极或漏极控制电流比较敏感的中央区域；而三极管则用于低成本场所。
5串接电阻作用
一、G和S极串联电阻的作用
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MOS管的输入阻抗很高，容易受到外界信号的干扰，只要少量的电荷，就能使G-S极间等效电容两端产生很高的电压，如果不及时把电荷释放掉，两端的高压容易使MOS管产生误动作，甚至有可能击穿G-S极，G、S极间串接电阻，可以防止静电损坏MOS。
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提供固定偏置，在前极开路时，可以保证MOS有效关断。
二、G极串联电阻的作用
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减缓Rds从无穷大到Rds(on)的变化速度。
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防止震荡，一般单片机的I/O输出口都会带点杂散电感，在电压突变的情况下，可能与栅极电容形成LC震荡，串联电阻可以增大阻尼减小震荡效果。
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减小栅极充电峰值电流。
6选型要点
1.电压值
D-S间最大耐压VDS和G-S间最大耐压VGS，实际使用时不能超过这两项值，避免损坏MOS管。
开启电压VGS(th),一般MOS管都是用单片机进行控制，根据单片机的电平来选择合适导通阈值的MOS管，并且尽量留有一定的余量，以确保MOS可以正常开关。
2.电流值
代表了MOS管的能流过多大电流，反应带负载的能力，超过这个值，MOS管也会损坏。
3.功率损耗
功率损耗包括热阻、温度。热阻指的是当有热量在物体上传输时，在物体两端温度差与热源的功率之间的比值，单位是℃/W，热阻的公式为RθJA= (Tj-Ta)/PD。
4.导通阻抗
导通阻抗越小，MOS管的损耗越小，一般MOS管的导通阻抗都是在mΩ级别。
5.开关时间
在高速电路中，尽可能选择输入、输出电容Ciss&Coss小、开关时间Ton&Toff短的MOS管，以保证数据通信正常。
6.封装
根据PCB板的尺寸，选择合适的MOS管尺寸，在板载面积有限的情况下，尽可能选择小封装；中低压小功率的可选择我司的SOT-23、SOT-23-3/6、SOT-89封装，大功率的可选择我司的DFN/QFN系列封装。